Heinz-Bethge-Stiftung ehrt hallesche Spitzenleistung in den Materialwissenschaften
21. November 2023 | Bildung und Wissenschaft | Keine Kommentare
Das Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP in der Otto-Eißfeldt-Straße in Halle. © Fraunhofer CSP
In einer feierlichen Zeremonie im Rahmen ihrer Jahresversammlung hat die Heinz-Bethge-Stiftung für angewandte Elektronenmikroskopie vor genau einer Woche die begehrten Heinz-Bethge-Preise für Materialwissenschaften 2023 verliehen. In diesem Jahr wurden zwei herausragende Arbeiten mit dem renommierten Preis ausgezeichnet, da beide von der Jury als gleichermaßen innovativ auf dem Gebiet der Materialwissenschaften bewertet wurden.
Der erste Preisträger ist Frau Dr. Dorothee Sophie Rosenzweig von der Technischen Universität Berlin. Ihre Arbeit mit dem Titel „Interaction of atomic hydrogen with GaAs(110) surfaces: Adsorption, defect generation, facetation, and cleaning“ widmet sich präzise und tiefgehend den strukturellen und elektronischen Eigenschaften von Wasserstoff-Interaktionen mit GaAs(110)-Oberflächen, die als Modellsystem für III-V-Halbleiter dienen. Die Ergebnisse dieser Forschung bieten nicht nur neue Erkenntnisse über die Adsorption von Wasserstoff, sondern beleuchten auch grundlegende Prozesse, die von großer Bedeutung für die Materialwissenschaft und Nanotechnologie sind. Mit Methoden wie Rastertunnelmikroskopie und -spektroskopie hat Frau Dr. Rosenzweig die Adsorption von Wasserstoff untersucht, Defekte charakterisiert und die facettenreichen Strukturen der Oberfläche im Detail erforscht.
Der zweite Preisträger ist Stefan Lange vom Fraunhofer-Center für Silizium-Photovoltaik CSP in Halle (Saale). Seine Dissertation mit dem Titel „Parasitäre Oxide an vergrabenen Grenzflächen in modernen Silizium-Solarzellen“ hat nanoskopische Grenzflächenreaktionen untersucht, die für die Kontaktdegradation in Photovoltaik-Technologien verantwortlich sind. Durch den Einsatz modernster Methoden wie energiedispersiver Röntgenspektroskopie und Elektronen-Energieverlust-Spektroskopie hat Lange parasitäre Oxide bis ins kleinste Detail charakterisiert. Diese wegweisende Arbeit ermöglicht nicht nur tiefgreifende Einblicke in Diffusions- und Reaktionsmechanismen, sondern verbessert auch die Effizienz und Resilienz zukünftiger Photovoltaik-Technologien erheblich.
Die Jury würdigte nicht nur die anwendungsorientierte Fragestellung und die Originalität der Lösungsansätze beider Arbeiten, sondern auch die Wahl der Methoden zur Mikrostrukturaufklärung. Insbesondere die Verwendung der Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) durch Stefan Lange verdeutlicht die fortwährende Relevanz der Ideen von Heinz Bethge und die aktuellen Potenziale der Elektronenmikroskopie.
Die Heinz-Bethge-Stiftung kündigte an, auch im Jahr 2024 den begehrten „Heinz-Bethge-Preis für Materialwissenschaften“ mit einem Preisgeld von 500 € für eine herausragende Promotion zu vergeben. Zusätzlich wird der „Heinz-Bethge-Nachwuchspreis“ mit 250 € für eine Diplom- oder Masterarbeit ausgelobt, die sich durch theoretische oder experimentelle Beiträge zur Mikroskopie oder Mikrostrukturaufklärung mittels mikroskopischer oder elektronenoptischer Techniken auszeichnet. Die Jury wird dabei die Relevanz der Arbeiten, die Originalität der Lösungsansätze, die Komplexität der mikroskopischen Charakterisierung sowie die wissenschaftliche Qualität im Auge behalten.
Bewerbung und Einreichung der Arbeiten bis 30.09.2024 per mail an franz-josef.schmitt@physik.uni-halle.de oder schriftlich an die Bethge-Stiftung für angewandte Elektronenmikroskopie, z.Hd. Franz-Josef Schmitt, Blücherstraße 24, 06120 Halle.
Die Bewerbung muss ein Anschreiben mit Begründung, warum die eigene eingereichte Arbeit preiswürdig ist sowie die Arbeit selbst enthalten. Weitere Unterlagen wie Empfehlungsschreiben können beigelegt werden.
